Infineon IRFH8325TRPBF
$ 0.26
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.40%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Parti correlate
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFHM9331TR2PBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFH8325TRPBF fornite dai suoi distributori.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
IRFH Series 30V 21A 3.6W 5mOhm SMD Single N-Channel MOSFET PQFN-8
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 21A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.40%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time7.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.487 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità