Infineon BSC093N04LSGATMA1

Name: Infineon BSC093N04LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC093N04LSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 9.3 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount

$ 0.275

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	60R2507	46.932	1		0,958	0,598	0,389	0,300	0,300	3d
Newark	3	BSC093N04LSGATMA1	46.492	1	Cut Tape	0,275	0,275	0,275	0,275	0,275
Future Electronics	2	BSC093N04LSGATMA1	25.000	5K	Tape & Reel					0,191
Arrow Electronics	3	BSC093N04LSGATMA1	48.241	1		0,763	0,519	0,361	0,236	0,186
Rutronik		TMOSP8690	5000	5K						0,230	3h

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Newark

Datasheet10 pagine13 anni fa

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-12-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC093N04LSGATMA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 9.3 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 40V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:49A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.2V; Power Dissipation:35W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC093N04LSGATMA1.

Newark

MOSFET, N CH, 49A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:49A; Power Dissipation Pd:35W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

Immagini

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

BSC093N04LS G
BSC093N04LSG
BSC093N04LSGATMA1.
SP000387929

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Parti alternative

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Specifiche tecniche

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Drain to Source Resistance9.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Fall Time2.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.4 nF

Max Dual Supply Voltage40 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance9.3 mΩ

Package Quantity5000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max9.3 mΩ

Rise Time2.4 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time16 ns

Turn-On Delay Time3.6 ns

Schede tecniche e documenti

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Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A