Infineon BSC018NE2LSATMA1
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
InfineonBSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSC018NE2LSATMA1 fornite dai suoi distributori.
2.5W 20V 2V 39nC 1N 25V 1.8m¦¸@ 10V 100A 2.8nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON T/R
Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
29 A 25 V 0.0023 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET 25V 100A 1.8mOHM SSO8 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, N CH, 25V, 153A, TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Po
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità