onsemi FDMS8018
$ 0.593
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +85.55%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMS8018.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
InfineonBSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS8018 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 175A, 1.8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 30V, 175A, 83W, POWER 56; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 175A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +85.55%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time7.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità