Infineon BSC011N03LSATMA1

2.5KW 20V 2V 72NC 1N 30V 1.1M¦¸@ 10V 100A 4.7NF@ 15V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 0.673
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSC011N03LSATMA1.

Newark

Datasheet10 pagine12 anni fa

IHS

Factory Futures

iiiC

Arrow Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+16.47%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon BSC011N03LSATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiFDMS8670S
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET 30V, 42A, 3.5mΩ
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC011N03LSATMA1 fornite dai suoi distributori.

2.5KW 20V 2V 72nC 1N 30V 1.1m¦¸@ 10V 100A 4.7nF@ 15V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON T/R
MOSFETs; BSC011N03LS; INFINEON TECHNOLOGIES; 30 V; 37 A; 20 V; 96 W
MOSFET N-Channel 30V 37A OptiMOS TDSON8
Power Field-Effect Transistor, 204A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC011N03LSATMA1.
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC011N03LS
  • BSC011N03LSATMA1.
  • SP000799082