Infineon BSC010NE2LSIATMA1

2.5KW 20V 2V 59NC 1N 25V 1.05M¦¸@ 10V 100A 4.2NF@ 12V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 0.788
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BSC010NE2LSIATMA120.0005K
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Newark
2
BSC010NE2LSIATMA166361Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC010NE2LSIATMA17182
2h
DigiKey
3
BSC010NE2LSIATMA1CT-ND91711Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC010NE2LSIATMA115.3001

Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet12 pagine0 anni fa
Datasheet13 pagine0 anni fa

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Parti alternative

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Parti alternative
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
InfineonBSC010NE2LSATMA1
Price @ 1000
$ 0.788
$ 0.75
Stock
2,854,012
1,911,920
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC010NE2LSIATMA1 fornite dai suoi distributori.

2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Maritex
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1.
Newark

Immagini

TME
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Augswan
TME
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC010NE2LSI
  • BSC010NE2LSIATMA1.
  • BSC010NE2LSIATMA1.......
  • BSC010NE2LSIXT
  • SP000854376