Infineon BFR35APE6327HTSA1

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
$ 0.135
NRND
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BFR35APE6327HTSA1.

IHS

Datasheet6 pagine12 anni fa

Newark

Burklin Elektronik

_legacy Avnet

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-0.29%

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-05-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
onsemiBC848BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBFU520XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BFR35APE6327HTSA1 fornite dai suoi distributori.

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
NPN Silicon RF Transistor for low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20 mA
RF TRANSISTOR, NPN, 15V, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: 5GHz; Power Dissipation Pd: 280mW; DC Collector Current: 45mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 45 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 15 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2.5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 5 / Power Dissipation (Pd) mW = 280 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BFR 35AP E6327
  • BFR35AP
  • BFR35AP E6327
  • BFR35AP-E6327
  • BFR35APE6327
  • SP000011060