Infineon BFP520H6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
$ 0.235
NRND
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBFP520H6327XTSA18551Cut Tape
Arrow Electronics
2
BFP520H6327XTSA157041
Rochester ElectronicsBFP520H6327XTSA142.465
16h
DigiKey
3
BFP520H6327XTSA1CT-ND59011Cut Tape
AvnetBFP520H6327XTSA106K
2d

Schede tecniche e documenti

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Farnell

Datasheet14 pagine7 anni fa

IHS

TME

_legacy Avnet

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 days ago)

Parti correlate

NXP SemiconductorsBFU730LXZ
Trans Gp Bjt Npn 3V 0.03A 3-Pin Dfn_C T/R Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU730LXZ
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NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
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ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BFP520H6327XTSA1 fornite dai suoi distributori.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
IHS
BFP520 Series 3.5 V 50 mA Low Noise Silicon RF Bipolar Transistor - SOT343-4
Future Electronics
Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-343 T/R
Verical
Bipolar 125mW 1V 30nA 10V 20V 50mA SOT-343 , 2mm*1.25mm*900¦Ìm
UnikeyIC
NPN-RF 2,5V 50mA 125mW 45GHz SOT343R
Schukat
3.5V 100mW NPN - Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Jak Electronics
Infineon RF Bip Transisitor BFP 520F H63
RS APAC
NPN RF-Transistor 1,8GHz PTSFP4
Rutronik
RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
Vigor Components
RF TRANSISTOR, NPN, 2.5V, 45GHZ, SOT-343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.5V; Transition Frequency ft: 45GHz; Power Dissipation Pd: 125mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-343; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 2.5 / DC Current Gain (hFE) = 110 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 10 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 1 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 45 / Power Dissipation (Pd) mW = 125 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Distrelec

Immagini

Infineon
Augswan
Newark
TME
TME
RS
Rochester Electronics
LZChips
RS APAC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BFP 520 H6327
  • BFP-520-H6327
  • BFP520
  • BFP520 H6327
  • BFP520 H6327 XTSA1
  • BFP520,H6327
  • BFP520-H6327
  • BFP520-H6327-XTSA1
  • BFP520H6327
  • SP000745280