Infineon BCV62BE6327HTSA1

Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
$ 0.254
EOL
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Prezzo e stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBCV62BE6327HTSA167
1d
AvnetBCV62BE6327HTSA109K
5d
Future Electronics
2
BCV62BE6327HTSA103KTape & Reel
Arrow ElectronicsBCV62BE6327HTSA109K
Microchip USABCV62BE6327HTSA14613K
7d

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BCV62BE6327HTSA1.

IHS

Datasheet7 pagine14 anni fa

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-97.88%
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonBCV62BE6327HTSA1
NexperiaBCV62B,215
NexperiaBCV62B,215
Price @ 1000
$ 0.254
$ 0.294
$ 0.294
Stock
417,671
1,996,167
1,996,167
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-143
-
-
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-05-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-12-31
LTD Date2028-03-31

Parti correlate

NXP SemiconductorsBFG520/XR,215
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BCV62BE6327HTSA1 fornite dai suoi distributori.

Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
EBV Elektronik
BCV62 Series PNP 30 V 100 mA SMT Silicon Double Transistor - SOT-143-4
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ComSIT Distribution GmbH
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R
Win Source
PNP (Dual) Transistors for Current Mirror Application, SOT143-4-1, RoHS
Infineon SCT
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Dual / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 290 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Max. °C = 155 / Transit Frequency MHz = 250 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Package Type = TO-253-4 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 850
Distrelec

Immagini

Infineon
Augswan
RS
Distrelec
Future Electronics
TME
LZChips
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BCV 62B
  • BCV 62B E6327
  • BCV62B
  • BCV62B E6327
  • BCV62BE-6327
  • BCV62BE6327
  • SP000010890