Infineon BCR112E6327HTSA1

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327
$ 0.32
EOL
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BCR112E6327HTSA105Cut Tape
Future Electronics
2
BCR112E6327HTSA103KTape & Reel
AvnetBCR112E6327HTSA1039K
12h
Arrow ElectronicsBCR112E6327HTSA1039K
Farnell
3
BCR112E6327HTSA105Cut Tape
9h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BCR112E6327HTSA1.

IHS

Datasheet8 pagine14 anni fa
Datasheet11 pagine18 anni fa
Datasheet4 pagine0 anni fa

Burklin Elektronik

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-61.22%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon BCR112E6327HTSA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-12-31

Parti correlate

onsemiKSC1623LMTF
KSC Series NPN 200 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-23
Dettagli
onsemiKSC1623YMTF
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Dettagli
onsemiKSC1623OMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli
Diodes Inc.BC847B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Dettagli
Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Dettagli
Diodes Inc.BC847C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Dettagli
onsemiBC848BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BCR112E6327HTSA1 fornite dai suoi distributori.

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327
Burklin Elektronik
BCR112 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
Future Electronics
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
Rf Trans, Npn, 50V, 0.1A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1
Newark
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ComSIT Distribution GmbH
DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Transistor Polarity:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:-; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case St
element14 APAC

Immagini

Infineon
RS
TME
Farnell
TME
Distrelec
Conrad
Distrelec
Future Electronics
Micros
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BCR 112 E6327
  • BCR-112-E6327
  • BCR112
  • BCR112 E6327
  • BCR112-E6327
  • BCR112E6327
  • SP000010747