Infineon AUIRFS3806
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Parti correlate
InfineonAUIRFZ44ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFZ46ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 10.9 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 82W;VGS +/-20
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRFS3806 fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
71W(Tc) 20V 4V@ 50¦ÌA 30nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 15.8m¦¸@ 25A,10V 43A 1.15nF@50V TO-263 SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Exhaust
MOSFET, N CH, 60V, 43A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0126ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:71W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance15.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15.8 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation71 W
Rds On Max15.8 mΩ
Rise Time40 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità