Infineon AUIRFR3710ZTRL
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EOL
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Mexico, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD70N10F4
N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK
STMicroelectronicsSTD45N10F7
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
InfineonIRFR2607ZTRPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
VishaySQD50P08-25L_GE3
P-Channel 80-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50P08-25L-GE3
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRFR3710ZTRL fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 100 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.93 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.223 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità