Harris RFP8P10
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Harris RFP8P10.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.263
Stock
52
97,713
Authorized Distributors
0
2
Mount
-
-
Case/Package
-
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vds)
-
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Rds On Max
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
Max Collector Current
-
-
Transition Frequency
-
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Harris RFP8P10 fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
Harris ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Harris può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- HAR
- Harris Corporation
- HARRIS SEMICONDUCTOR
- HARR
- HARIS
- HARRI
- HARRIS CORP
- HARRIS SEMI
- HARRIS COMMUNICATIONS
- HARRIS_S
- Harris / Intersil
- HARRIS SEM
- Harris Corporation/Intersil
- Harris Broadcast Communications Solutions Inc
- HUGHES AIRCRAFT
- HRRIS
- Harris Semiconductor Incorporated
- HARRIS MIL
- Harris Coporation
- (HARRIS) TEXAS
- HARRIS BROADCAST
- Harris Regulator Products
- Harris Semiconductor Incorpora
- L3HARRIS - EDI
- HARRIS CORP HARRIS SEMIC
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance400 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Schede tecniche e documenti
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