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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQAF16N25C.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.008
$ 1.008
Stock
65,862
49,672
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
11.4 A
12.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
270 mΩ
230 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
73 W
85 W
Input Capacitance
1.08 nF
1.2 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Parti correlate
onsemi5LP01SP-AC
Tape & Reel (TR) Through Hole P-Channel Single Mosfet Transistor 70mA Ta 70mA 250mW Ta -50V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQAF16N25C fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 250V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 250V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 250V N-Channel Advance Q-FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating11.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation73 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation73 W
Rds On Max270 mΩ
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time135 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Schede tecniche e documenti
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