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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -47.30%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per EPC EPC2016C.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
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20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
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85W(Tc) 4V@ 250µA 52nC@ 20V 1individualNChannel 100V 64mΩ@ 22A,10V 790pF@25V D2PAK SMD mount
InfineonAUIRFR3710ZTRL
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di EPC EPC2016C fornite dai suoi distributori.
Field Effect Tube (MOSFET)
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Alias del produttore
EPC ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. EPC può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- EPC Space LLC
- EPC Space
- EPC (VA)
- EFFICIENT POWER CONVERSION
- EPC Semiconductor
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance420 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Rds On Max16 mΩ
Dimensions
Height815 µm
Schede tecniche e documenti
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