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Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per EPC EPC2016C.
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
onsemiHUF76629D3S
20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
onsemiHUFA75623S3ST
85W(Tc) 4V@ 250µA 52nC@ 20V 1individualNChannel 100V 64mΩ@ 22A,10V 790pF@25V D2PAK SMD mount
Diodes Inc.DMT10H015LFG-7
PDI-33338 N-Ch MOSFET, 100V, 10A/42A, 13.5mΩ@20A,10V, 2W(Ta)/35W(Tc), SMD, 3.3mm × 3.3mm × 800μm
InfineonAUIRFR3710ZTRL
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di EPC EPC2016C fornite dai suoi distributori.
Field Effect Tube (MOSFET)
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Alias del produttore
EPC ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. EPC può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- EPC Space LLC
- EPC Space
- EPC (VA)
- EFFICIENT POWER CONVERSION
- EPC Semiconductor
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance420 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Rds On Max16 mΩ
Dimensions
Height815 µm
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