Diodes Inc. ZXMP6A17GTA
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMP6A17GTA fornite dai suoi distributori.
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
ZXMP6A17G Series 60 V 0.125 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 4.1A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2 W
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating-4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance637 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.9 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time26.2 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità