Diodes Inc. ZXMN6A11GTA
$ 0.308
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | ZXMN6A11GTA | 14.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN6A11GTA | 5000 | 204 | |||||||||
| Future Electronics | ZXMN6A11GTA | 3000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | ZXMN6A11GCT-ND | 1780 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN6A11GTA | 0 | 1K | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +19.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMN6A11GTA fornite dai suoi distributori.
ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 60V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Current Rating2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max120 mΩ
Resistance120 mΩ
Rise Time3.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8.2 ns
Turn-On Delay Time1.95 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità