Diodes Inc. ZXMC4559DN8TA
$ 0.439
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +215%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. ZXMC4559DN8TA, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25 Series 60 V 0.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMC4559DN8TA fornite dai suoi distributori.
ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, N & P CHANNEL, DUAL, 60V, 4.7A, SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.25 W
MOSFET, DUAL, NP, 60V, SO-8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 3.9A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Po
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +215%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Current Rating4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.063 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance105 mΩ
Rise Time4.1 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità