Diodes Inc. ZVP2110GTA
$ 0.487
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZVP2110GTA | 61.000 | 1K | 4d | ||||||||
| Newark | ZVP2110GTA | 39 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | ZVP2110GTA | 20 | 20 | |||||||||
| Verical | ZVP2110GTA | 20 | 20 | |||||||||
| DigiKey | ZVP2110GCT-ND | 4597 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +39.42%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZVP2110GTA fornite dai suoi distributori.
ZVP2110G Series 100 V 8 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-223
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Surface Mount
Mosfet, P-Ch, 100V, 0.31A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVP2110GTA
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +39.42%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)310 mA
Current Rating-350 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max8 Ω
Resistance8 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità