Diodes Inc. ZVN2110A
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.35
$ 0.425
Stock
128,368
205,834
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
320 mA
320 mA
Threshold Voltage
2.4 V
-
Rds On Max
4 Ω
4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
700 mW
700 mW
Input Capacitance
75 pF
75 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZVN2110ASTZ
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.32A, To-92 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVN2110ASTZ
Diodes Inc.ZVNL110ASTZ
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 / Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZVN2110A fornite dai suoi distributori.
700mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1N 100V 4¦¸@ 1A,10V 320mA 75pF@25V TO-92 4.77mm*2.41mm*4.01mm
N-Channel 100 V 4 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET- TO-92
Flamar Control Cable WSOR Jacket Unshielded 3 Circuits 21 AWG with Green/Yellow Ground 5.60mm Diameter 300.0m Length Gray
N CH DMOS FET, 100V, 320mA, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:320mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:320mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation Pd:700mW; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:320mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVN2110A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:6A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2.4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)320 mA
Current Rating230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance75 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation700 mW
Rds On Max4 Ω
Resistance4 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità