Diodes Inc. ZTX688B
$ 0.5
EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.5
$ 0.486
Stock
571,575
253,280
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
12 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
350 mV
350 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
-
1 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Parti correlate
Diodes Inc.ZTX688BSTZ
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZTX688B fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | TRANS NPN 12V 3A E-LINE
Trans GP BJT NPN 12V 3A Automotive 3-Pin E-Line
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; Collector Emitter Voltage Vces:350mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:3A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:400; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:12V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierE-Line
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZTX688B.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità