Diodes Inc. MMDT5401-7-F
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -89.15%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
Diodes Inc.MMDT5451-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Diodes Inc.MMDT3946-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Diodes Inc.MMDT3906-7-F
MMDT3906 Series Dual PNP 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. MMDT5401-7-F fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
MMDT5401 Series 150 V 200 mA 200 mW Dual PNP Small Signal Transistor - SOT-363
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual PNP, 150 V, 200 mA
Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
TRANSISTOR, PNP/PNP, SOT363; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -150V; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -200mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pi
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -89.15%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Continuous Collector Current-200 mA
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage150 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità