Diodes Inc. IMX8-7-F
$ 0.116
Obsolete
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMMT5551-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.MMDT2227M-7
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW
Diodes Inc.DMMT5551S-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN4602(TE85L,F)
300mV@ 250¦ÌA,5mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 300mW -10V,10V 100nA 50V 100mA SM-6
ToshibaHN1C01F-Y(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. IMX8-7-F fornite dai suoi distributori.
IMX8 Series Dual NPN 120 V 300 mW Small Signal Transistor Surface Mount-SOT-26
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight29.993795 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating50 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency140 MHz
Gain Bandwidth Product140 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency140 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency140 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. IMX8-7-F.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant