Diodes Inc. DMMT5551S-7-F
$ 0.133
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMMT5551S-7-F | 860 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMMT5551S-7-FDICT-ND | 1291 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMMT5551S-7-F | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Avnet | DMMT5551S-7-F | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMMT5551S-7-F | 0 | 3K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -34.08%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMMT5551S-7-F.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMMT5551-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaHN1C01F-Y(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN4606(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMMT5551S-7-F fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
200mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) Matched Pair 300mW 6V 50nA 180V 160V 200mA SOT-26 3mm*1.6mm*1.1mm
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
High Voltage Transistor (Matched hFE, VCE(sat) & VBE(sat)), 0.2A, 0.3W
Diodes Inc SCT
BIPOLAR TRANS, DUAL NPN, 160V, SOT-26; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage Max NPN:160V; Collector Emitter Voltage Max PNP:-; Continuous Collector Current NPN:200mA; Continuous Collector Current PNP:- RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -34.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight29.993795 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMMT5551S-7-F.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità