Diodes Inc. FCX591TA
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Tendenza a 3 mesi: -95.86%
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
ROHM2SB1561T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHMDTA023YEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. FCX591TA fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 60V 1A SOT-89
FCX591 Series PNP 1 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
General Purpose Transistors PNP Ic=1A Vceo=60V hfe=100 P=1W SOT89-3
600mV@ 100mA,1A PNP 2W 7V 100nA 80V 60V 1A SOT-89-3 1.6mm
TRANSISTOR, PNP, 60V, 1A, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -95.86%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current-1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità