Diodes Inc. DMT3006LPS-13
$ 0.268
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMT3006LPS-13 | 67.500 | 2500 | 1d | ||||||||
| Verical | DMT3006LPS-13 | 67.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMT3006LPS-13DICT-ND | 2458 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMT3006LPS-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT3006LPS-13 | 0 | 2500 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.46%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMT3006LPS-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTL66N3LLH5
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMT3006LFG-7
27.8W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 22.6nC@ 10 V 1N 30V 6m¦¸@ 12A,10V 16A,55.6A 1.32nF@15V PDI-33338
Diodes Inc.DMT3006LDK-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 46.2A, Vdfn3030 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT3006LDK-7
InfineonIRFH5304TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 16 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH8325TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMT3006LPS-13 fornite dai suoi distributori.
DMT3006LPS Series 30 V 16 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - PowerDI5060-8
1.3W(Ta),42W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 22.6nC@ 10 V 1N 30V 6m¦¸@ 20A,10V 16A,65A 1.32nF@15V PDI-50608
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.46%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Manufacturer Package IdentifierPowerDI5060-8
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max6 mΩ
Turn-Off Delay Time13.5 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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