Diodes Inc. DMP4015SK3-13
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Tendenza a 3 mesi: +7.14%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMP4015SK3-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
VishaySI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
Diodes Inc.DMP3010LK3-13
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
onsemiFDD9411-F085
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK / N-Channel 40 V 15A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP4015SK3-13 fornite dai suoi distributori.
P-Channel 40 V 11 mOhm 47.5 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - TO-252
TEXAS INSTRUMENTS UCC28C45DController PWM, 18V-12V supply, 1 MHz, 18V/1A out, SOIC-8
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-252 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 3.5 W
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, P-CH, -40V, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V; Powe
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +7.14%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time137 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.234 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time302.7 ns
Turn-On Delay Time13.2 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.7 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità