Diodes Inc. DMP3010LK3-13
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Tendenza a 3 mesi: -2.89%
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Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMP3010LK3-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Power MOSFET, N Channel, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Mosfet, N-Ch, 30V, 37.8A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3016LK3-13
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP3010LK3-13 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
90004001,场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 17A, 150度 C, 1.7W;
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K
MOSFET, P-CH,30V,14.5A, ENHANCEMENT, UDFN-6
DiodesZetex PMOS, Vds=30 V, 17 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
P-CH -30V -17A 8mOhm TO252 SMD
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.89%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.5 A
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time99.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.234 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.4 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time9.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time260.7 ns
Turn-On Delay Time11.4 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.7 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità