Diodes Inc. DMN3065LW-13
$ 0.121
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3065LW-13 | 10.152 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN3065LW-13 | 20.000 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMN3065LW-13DICT-ND | 80.136 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3065LW-13 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Avnet | DMN3065LW-13 | 0 | 10K | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.15%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN3065LW-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN3067LW-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.6 A, 0.067 ohm, SOT-323, Surface Mount
Diodes Inc.DMN3067LW-13
500mW(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 4.6nC@ 4.5 V 1N 30V 67m¦¸@ 2.5A,4.5V 2.6A 447pF@10V SOT-323
VishaySI1308EDL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 30 V, 3-PIN SC-70
Diodes Inc.DMN3150LW-7
Power MOSFET, N Channel, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN3065LW-13 fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 / N-Channel 30 V 4A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-323
DMN3065 Series 30V 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transsitor-SOT-323
770mW(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 11.7nC@ 10 V 1N 30V 52m¦¸@ 4A,10V 4A 465pF@15V SOT-323
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Rohs Trans., Mosfet N-Channel 30V 4A, Sot-323
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
Mosfet Bvdss: 25V~30V Sot323 T&r 10K
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.15%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Capacitance465 pF
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance465 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation770 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max52 mΩ
Rise Time1.6 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time10.3 ns
Turn-On Delay Time1.9 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN3065LW-13.