Diodes Inc. DMN10H220L-7
$ 0.169
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -92.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRLML0100TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRLML2803TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN10H220L-7 fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR, 100V, N-CHANNGEL, ENHANCEMENT MODE MOSFET, 1.6A, SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Avnet Japan
DMN10H220L Series 100 V 250 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
MOSFET, N-CH, 100V, 1.4A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.4A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; P
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -92.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance401 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time7.9 ns
Turn-On Delay Time6.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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