Diodes Inc. DMN10H099SK3-13
$ 0.369
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN10H099SK3-13 | 22.500 | 2500 | 4d | ||||||||
| Newark | DMN10H099SK3-13 | 2313 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN10H099SK3-13 | 22.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMN10H099SK3-13DICT-ND | 1255 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H099SK3-13 | 0 | 2500 | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -44.56%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN10H099SK3-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN10H100SK3-13
Mosfet, N-Ch, 100V, 18A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H100SK3-13
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN10H099SK3-13 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, N-Ch, 100V, 17A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H099SK3-13
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
100V 17A 34W 80mΩ@10V,3.3A 3V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
DiodesZetex NMOS, Vds=100 V, 17 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -44.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Capacitance1.172 nF
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.172 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max80 mΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN10H099SK3-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant