Diodes Inc. DMN1019USN-7

N-Channel 12 V 10 mO 50.6 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SC-59 (SOT-23)
$ 0.169
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
DMN1019USN-730003KTape & Reel
RutronikTMOS261712.0003K
4h
DigiKey
3
DMN1019USN-7DICT-ND16.3911Cut Tape
AvnetDMN1019USN-703K
23h
Future Electronics
2
DMN1019USN-703KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN1019USN-7.

Diodes Inc SCT

Technical Drawing1 pagina10 anni fa

IHS

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-78.22%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Diodes Inc. DMN1019USN-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiFDN306P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -12V, -2.6A, 40mΩ
Dettagli
InfineonIRLML6401TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Dettagli
onsemiCPH3348-TL-W
P-Channel Power MOSFET, -12V, -3A, 70mΩ
Dettagli
InfineonIRLML6401GTRPBF
-12V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package
Dettagli
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Dettagli
VishaySI2356DS-T1-GE3
Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. DMN1019USN-7 fornite dai suoi distributori.

N-Channel 12 V 10 mO 50.6 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SC-59 (SOT-23)
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Surface Mount
Avnet
12V 9.3A 680mW 10mΩ@4V,9.7A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Dasenic
12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ID=9.3A SC59
HQonline
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
N-Channel Mosfet, 12V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NMOS, Vds=12 V, 11 A, SOT-346, , 3
UnikeyIC
Mosfet, N-Ch, 12V, 9.3A, Sc-59; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(On):0.007Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800Mv; Power Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1019USN-7
Newark

Immagini

Future Electronics
Farnell

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • DMN1019USN7