Diodes Inc. DMG4800LK3-13
$ 0.25
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG4800LK3-13 | 1592 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMG4800LK3-13 | 2500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMG4800LK3-13 | 2500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMG4800LK3-13DICT-ND | 12.584 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4800LK3-13 | 0 | 1 | 9h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -46.20%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG4800LK3-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMN3016LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 37.8A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3016LK3-13
Diodes Inc.DMG4468LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 9.7A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4468LK3-13
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMG4800LK3-13 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 1.71 W 8.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
1.71W(Ta) 25V 1.6V@ 250¦ÌA 8.7nC@ 5 V 1N 30V 17m¦¸@ 9A,10V 10A 798pF@10V TO-252-3
Mosfet N-Ch 30V 10A To252-3 |Diodes Inc. DMG4800LK3-13
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -46.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time8.55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance798 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.71 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.71 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time4.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.33 ns
Turn-On Delay Time5.03 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG4800LK3-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità