Diodes Inc. DMG3415U-7
$ 0.15
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMG3415U-7 | 93.000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMG3415U-7 | 93.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMG3415UDICT-ND | 4374 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMG3415U-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DMG3415U-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.69%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG3415U-7.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMG2305UX-7
P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
VishaySI2323DDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
VishaySI2302DDS-T1-GE3
VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMG3415U-7 fornite dai suoi distributori.
P-Channel 20 V 42.5 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.9 W
MOSFET,P CH,20V,4A,SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -4A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -550mV; Powe
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.69%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance42.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time393 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance294 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-550 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max39 mΩ
Resistance42.5 mΩ
Rise Time117 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-550 mV
Turn-Off Delay Time795 ns
Turn-On Delay Time71 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG3415U-7.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità