Diodes Inc. BSS138Q-7-F

Single N-Channel 50 V 3.5 Ohm 300 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
$ 0.077
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
TME
2
BSS138Q-7-F01
21h
Newark
2
BSS138Q-7-F05Cut Tape
AvnetBSS138Q-7-F03K
2d
Future Electronics
2
BSS138Q-7-F03KTape & Reel
Arrow ElectronicsBSS138Q-7-F03K

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. BSS138Q-7-F.

IHS

Datasheet6 pagine5 anni fa

Diodes Inc SCT

TME

Future Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-98.65%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Diodes Inc. BSS138Q-7-F, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
SimboloImpronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Diodes Inc.BSS138Q-7-F
onsemiBSS138LT1G
onsemiBSS138LT1G
Price @ 1000
$ 0.077
$ 0.079
$ 0.079
Stock
359,751
132,425,528
132,425,528
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-236-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
50 V
50 V
Continuous Drain Current (ID)
200 mA
200 mA
200 mA
Threshold Voltage
-
1.5 V
1.5 V
Rds On Max
3.5 Ω
3.5 Ω
3.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
50 pF
50 pF
50 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-08-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiSBSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23 / Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10
Dettagli
Diodes Inc.DMN53D0L-13
370mW(Ta) 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.6nC@ 4.5 V 1N 50V 1.6¦¸@ 500mA,10V 500mA 46pF@25V SOT-23-3
Dettagli
NexperiaNX138BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB / N-Channel 60 V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Dettagli
Diodes Inc.DMN65D8LQ-13
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Dettagli
Diodes Inc.DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 / N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. BSS138Q-7-F fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 50 V 3.5 Ohm 300 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
50V 200mA 300mW 3.5Ω@10V,220mA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Dasenic
300mW(Ta) 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.65nC 1N 50V 3.5¦¸@ 220mA,10V 200mA 50pF@10V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
UnikeyIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET, AEC-Q101, N CH, 50V, 0.2A, 0.3W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1
element14 APAC

Immagini

Farnell
TME
LKR
Future Electronics
TME

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSS138Q7F