Diodes Inc. BCX5616TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
$ 0.095
Production
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DistributorSKUMinPkg
TME
2
BCX5616TA01
4h
Newark
2
BCX5616TA01Cut Tape
RS (Formerly Allied Electronics)BCX5616TA050Bulk
18h
AvnetBCX5616TA01K
8h
Future Electronics
2
BCX5616TA01KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. BCX5616TA.

Newark

Datasheet7 pagine4 anni fa
Datasheet7 pagine10 anni fa
Datasheet1 pagina19 anni fa

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

NXP SemiconductorsBCX56-16
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 80 V, 180 Mhz, 500 Mw, 1 A, 100 Rohs Compliant: Yes
Dettagli
Diodes Inc.BCX5316TA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Dettagli
Diodes Inc.BCX56TA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
Dettagli
Diodes Inc.BCX5610TA
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Dettagli
NexperiaBCX56
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89
Dettagli
ROHM2SD1898T100R
80V 2W 180@500mA,3V 1A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. BCX5616TA fornite dai suoi distributori.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Avnet Silica
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
80V 1W 100@150mA,2V 1A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Win Source
BCP5616 Series NPN 1 A 80 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
Future Electronics
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=2W SOT89-3
HQonline
DIODES INC. - BCX5616TA - TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-89
Jak Electronics
TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:150mA; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:100V
element14 APAC

Immagini

Farnell
element14 APAC
Newark
TME
TME
Distrelec
Future Electronics
iiiC
HQonline

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BCX5616TA.