Diodes Inc. 2DD1664P-13
$ 0.157
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2DD1664P-13 | 60.000 | 2500 | 20h | ||||||||
| Verical | 2DD1664P-13 | 60.000 | 2500 | |||||||||
| TME | 2DD1664P-13 | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Arrow Electronics | 2DD1664P-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Microchip USA | 2DD1664P-13 | 345 | 3500 | Tray | 12h |
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DD1664P-13.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.157
$ 0.143
$ 0.143
Stock
379,244
577,762
577,762
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
-
-
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
30 V
30 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
280 MHz
320 MHz
320 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
-
hFE Min
82
270
270
Power Dissipation
1 W
-
-
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.2DD1766P-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.2DD1664R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1664T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD1664T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD1664T100P
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. 2DD1664P-13 fornite dai suoi distributori.
2DD1664P Series 32 V 1 A NPN Surface Mount Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
400mV@ 50mA,500mA NPN 1W 6V 100nA 40V 32V 1A SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency280 MHz
Gain Bandwidth Product280 MHz
hFE Min82
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency280 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DD1664P-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità