Central Semiconductor 2N2102
$ 1.049
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Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Central Semiconductor 2N2102.
Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.049
$ 0.186
Stock
1,631
2,598
Authorized Distributors
0
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-39
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
Max Collector Current
1 A
-
Transition Frequency
60 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-
hFE Min
10
-
Power Dissipation
-
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1975-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Central Semiconductor 2N2102 fornite dai suoi distributori.
TO-39 Through Hole Single EAR99 Bipolar (BJT) Transistor 1A 1W 60MHz 120V
Transistor GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-39 Box
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Small Signal Bipolar Transistor
Alias del produttore
Central Semiconductor ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Central Semiconductor può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- CENTRAL SEMI
- CENTRAL
- Central Semiconductor Corp
- CSC
- CEN
- CENTRAL SEMICONDUCTO
- CENT
- CENTRAL SEMICONDUCTORS
- CENTRALSEM
- Central Semicon
- CENT SEMI
- CNTRALSEMI
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- CTLSEM
- CENTRAL SEMICOND
- CENTRAL SEMICONDUCTORS CORP
- Central Semiconductor Cor
- Central Semiconductor Inc
- CENTRAL SEMICONDUC
- CENTAL SEMI
- CENTRAL SEMI INC
- CENTILLIUM COMMUNICATIONS INC
- CENTRAL SEMI-CONDU
- NPN Central Semi
- CENTRAL SEMIN
- Central Semiconductor Corp.
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Continuous Collector Current1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min10
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
PolarityNPN
Transition Frequency60 MHz
Schede tecniche e documenti
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