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STMicroelectronics STF11NM65N

Name: STMicroelectronics STF11NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF11NM65N
Price: 0.9195 USD
Availability: InStock

N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package

$ 0.92

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Verical	STF11NM65N	386	7			0,920	0,920	0,920	0,920
Arrow Electronics	STF11NM65N	386	1		0,920	0,920	0,920	0,920	0,920
Mouser	511-STF11NM65N	80	1	Tube	3,170	2,060	1,580	1,140	1,080
Win Source	345271-STF11NM65N	47 400	55				1,115	0,743	0,743	>1wk
Worldway Electronics	STF11NM65N	13 593	2	Tube		0,273	0,265	0,251	0,251	10h

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Datasheet21 pagesIl y a 12 ans

STMicroelectronics

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTF15N65M5

N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package

Détails

STMicroelectronicsSTF15NM65N

N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package

Détails

STMicroelectronicsSTF13N65M2

N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STF11NM65N fournies par ses distributeurs.

N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Lgs Lv Mosfet |Stmicroelectronics STF11NM65N

Newark

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Drain to Source Breakdown Voltage650 V

Drain to Source Resistance380 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance800 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation30 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation30 W

Rds On Max455 mΩ

Resistance380 mΩ

Rise Time13 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time55 ns

Turn-On Delay Time11 ns

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Datasheet21 pagesIl y a 12 ans

STMicroelectronics

Future Electronics

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant