Vishay SUM70030E-GE3
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-10-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SUM70030E-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 100V 150A TO263 / N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Transistor MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin TO-263
Avnet Japan
375W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 214nC@ 10 V 1N 100V 2.88m¦¸@ 30A,10V 150A 10.87nF@50V TO-263
Single N-Channel 10 V 2.88 mOhm Surface Mount TrenchFET® Power Mosfet - TO-263
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET N-CHAN 100-V D2PAK (TO-26
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.00288ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:150A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +15.82%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation375 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height5.08 mm
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