Vishay SQM100N04-2M7_GE3
$ 1.36
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SQM100N04-2M7_GE3CT-ND | 800 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SQM100N04-2M7-GE3 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Future Electronics | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | 10h | ||||||||
| TTI Europe | SQM100N04-2M7/GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | 3d |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTH175N4F6-2AG
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySQM120N04-1M9_GE3
VISHAY SQM120N04-1M9-GE3MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
InfineonIRFS7440TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIPB100N04S4H2ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonAUIRFS8405
MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTH175N4F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay SQM100N04-2M7_GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
157W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 145nC@ 10 V 1N 40V 2.7m¦¸@ 30A,10V 100A 7.91nF@25V TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.91 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation157 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité