Vishay SIS862DN-T1-GE3
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Pièces détachées
InfineonBSC076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Diodes Inc.DMT6010LFG-7
Mosfet, N-Ch, 60V, 30A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6010LFG-7
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Descriptions
Descriptions de Vishay SIS862DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 60 V 8.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
MOSFET, N CH, 60V, 40A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 52W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Min: -55°C
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation52 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.6 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité