Vishay SIS443DN-T1-GE3
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTL11N4LLF5
N-channel 40 V, 9.1 mOhm typ., 15 A STripFET(TM) V in a PowerFLAT(TM) 3.3x3.3 package
Descriptions
Descriptions de Vishay SIS443DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 40V 13.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET -40V .0117OHM@10V 35A P-CH G-III
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -35A, 150度 C, 52W;
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
N-Ch PowerPAK1212 BWL 80V 19.5mohm@10V
RS APAC
MOSFET, P-CH, 40V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance11.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max11.7 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.1684 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité