Vishay SIS412DN-T1-GE3

SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
$ 0.282
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DistributorSKUMinPkg
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SIS412DN-T1-GE324 0003K
23h
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SIS412DN-T1-GE3.24 0003KTape & Reel
Future Electronics
2
SIS412DN-T1-GE36001Cut Tape
RutronikTMOSP1084963 0003K
4h
DigiKey
3
SIS412DN-T1-GE3CT-ND2 1161Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIS412DN-T1-GE3.

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

VishaySI4128DY-T1-GE3
N-Channel 30 V 0.024 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Détails
VishaySIS478DN-T1-GE3
N-Channel 30 V 0.02 Ohm 3.6 nC SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Détails
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
Détails
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
VishaySI4162DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SIS412DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Future Electronics
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Power Dissipation:15.6W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: No |Vishay SIS412DN-T1-GE3.
Newark
MOSFET, N-CH, 30V, 12A, POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:15.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12A; Power Dissipation Pd:15.6W; Voltage Vgs Max:20V
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Images

Vishay
Augswan
Newark
Newark
TME
Future Electronics
RS APAC
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Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SIS412DN-T1-GE3.
  • SIS412DNT1GE3