Vishay SIS128LDN-T1-GE3
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-04-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SIS128LDN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 80 V 15.6 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 33.7A I(D), 80V, 0.0203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS, Vds=80 V, 33.7 A, PowerPAK 1212-8, , 8
场效应管,N-通道 80-V (D-S) 场效应管, MOSFET;
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 16.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 21 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)33.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance20.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
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