Vishay SIRA12BDP-T1-GE3
$ 0.371
Production
Prix et stock
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIRA12BDP-T1-GE3 | 4 959 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND | 2 037 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | SIRA12BDP-T1-GE3 | 5 073 | 150 | Bulk | ||||||||
| TTI | SIRA12BDP-T1-GE3 | 6 000 | 3K | Tape & Reel | 3d | |||||||
| TME | SIRA12BDP-T1-GE3 | 0 | 1 | 1d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-03-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SIRA12BDP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 / N-Channel 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
5W(Ta),38W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 30V 4.3m¦¸@ 10A,10V 27A,60A 1.47nF@15V SOIC-8 5.99mm*5mm*1.07mm
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay SiRA12BDP-T1-GE3 MOSFET
RS APAC
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
MOSFET, N-CH, 30V, 60A, 150DEG C, 38W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.4V; Power Dissipation Pd: 38W; Transistor Case Style: PowerPAK SO; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Gen IV Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
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