Vishay SIR873DP-T1-GE3
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Fiche technique officielleIl y a 5 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2017-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR873DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 37 A, 0.0395 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
TrenchFET Gen IV Power MOSFET P-Channel Single -150V VDS ±20V VGS -29A ID 8-Pin PowerPAK SOIC T/R
MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO;; MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -37A; Drain Source Voltage Vds: -150V; On R; Available until stocks are exhausted
Mosfet, P-Ch, -150V, -37A, Powerpak So; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-37A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(On):0.0395Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Powerrohs Compliant: Yes |Vishay SIR873DP-T1-GE3
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance47.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Manufacturer Package IdentifierS17-0173_SINGLE
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.12 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité