Vishay SIR804DP-T1-GE3
$ 1.331
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIR804DP-T1-GE3 | 232 | 5 | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR804DP-T1-GE3 | 232 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SIR804DP-T1-GE3CT-ND | 4 820 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR804DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 22h | ||||||||
| TTI | SIR804DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 13h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR804DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,60A,PPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Trans MOSFET N-CH 100V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR804DP-T1-GE3)
Single N-Channel 100V 0.0072 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,60A,PPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.45 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max7.2 mΩ
Resistance7.2 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité