Vishay SIHP10N40D-GE3
$ 1.1
Obsolete
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Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Vishay SIHP10N40D-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:147W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; MSL:-; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -3.43%
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance526 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation147 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time18 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.51 mm
Width4.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Déclarations de conformité