Vishay SIHD1K4N60E-GE3

Name: Vishay SIHD1K4N60E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHD1K4N60E-GE3

Transistor MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin TO-252

$ 0.556

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical		SIHD1K4N60E-GE3	880	13				0,447	0,447	0,447
Arrow Electronics		SIHD1K4N60E-GE3	880	1		0,844	0,703	0,574	0,499	0,499
TTI		SIHD1K4N60E-GE3	9 000	3K	Tape & Reel					0,426	1d
TME	2	SIHD1K4N60E-GE3	0	1		1,938*	1,231*	0,825*	0,771*	0,771*	1h
Avnet		SIHD1K4N60E-GE3	0	3K						0,496	10h

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 3 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-08-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Descriptions

Descriptions de Vishay SIHD1K4N60E-GE3 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin TO-252

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 600V, 1.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Mosfet, N-Ch, 4.2A, 600V, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):1.3Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Vishay SIHD1K4N60E-GE3

Newark

Images

Vishay

element14 APAC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :